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產(chǎn)品型號：P-8505
更新時(shí)間：2024-07-09簡要描述：nidec壓力傳感器P-8505適用介質(zhì)不腐蝕SUS316L的氣體/液體指導(dǎo)方法表壓額定壓力范圍0-50、0-100、0-350、0-1000kPa電源1.5 mA DC（恒流）輸出[量程電壓]90±30mV線性/遲滯±0.3%FS, ±0.5%FS接頭形狀φ17.5mm
| 品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子,綜合 |
|---|
nidec壓力傳感器P-8505
nidec壓力傳感器P-8505
曝光 通過光照，只有光刻膠膜曝光的部分發(fā)生變化，轉(zhuǎn)移到硅片表面?？梢哉f，這個(gè)過程需要最細(xì)微的技術(shù)。然后將其浸入顯影劑中，僅溶解硅晶片上的曝光區(qū)域。此時(shí)剩余的光刻膠膜即為9)的刻蝕掩模。
9）蝕刻
這是用溶液刮掉氧化膜和薄膜的工作。任何剩余的光刻膠都不會被刮掉。有兩種類型的蝕刻：使用溶液的濕法蝕刻和使用氣體的干法蝕刻。
10) 抗蝕劑剝離/清潔
剩余的光刻膠通過與化學(xué)品和氣體的化學(xué)反應(yīng)被剝離。如果您在最后進(jìn)行清潔，您將擁有預(yù)期的電路。
11)
通過添加通過離子注入熱處理激活的雜質(zhì)離子，可以改變半導(dǎo)體的特性。
12) Silicon wafer smoothing
Silicon wafer本身可能因?yàn)橥苛艘粚颖∧ざ邪纪共黄?，所以要重新打磨。通過重復(fù)從 7)
-60
°C 的過程控制。（鏡面型）露點(diǎn)儀
④ 過程和無塵室需要相對濕度水平控制的
? 簡單的 EE060
⑤ 需要大量水分并需要控制恒定水分的過程
? 主要在高溫和高濕度下測量 EE33 帶防結(jié)露措施的溫濕度計(jì)
氧氣濃度測量
(1) 需要通過氫氣置換
等去除氧氣的工序? 2001LC 原電池式氧氣濃度
計(jì)，
可確認(rèn) 1 ppm 以下。4100
| 適用介質(zhì) | 不腐蝕SUS316L的氣體/液體 |
|---|---|
| 指導(dǎo)方法 | 表壓 |
| 額定壓力范圍 | 0-50、0-100、0-350、0-1000kPa |
| 電源 | 1.5 mA DC（恒流） |
| 輸出[量程電壓] | 90±30mV |
線性/遲滯 | ±0.3%FS, ±0.5%FS |
| 接頭形狀 | φ17.5mm |
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