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日本optosigma LD半導體制冷片驅(qū)動電源SPD03A0S 集成了LD所需要的電源功能的薄型電源 詳情 ?驅(qū)動半導體激光器。 ?內(nèi)置半導體制冷片驅(qū)動電源。 ?保持了SLD和STD的性能，集成了其必須的功能，實現(xiàn)了低價格。 ?LD驅(qū)動用電流有50A和100A兩種。 ?溫度計測分辨率為0.01℃?？梢赃x用Pt100，或熱敏電阻。 ?半導體制冷片的輸出功率達300W。
更新時間：2024-08-26
日本shimadzu半導體在線TOC分析儀 TOC-1000e 概述：島津eTOC系列的產(chǎn)品超純水在線TOC分析儀（TOC-1000e）具有超高靈敏度，可完的美應對超純水的測定。TOC-1000e具有體積小巧、性能優(yōu)的越、簡單易用、穩(wěn)定可靠的特點
更新時間：2024-08-26
日本konicaminolta色彩照度計CL-200A 產(chǎn)品概述 主要用于測量LED、OLED等各類照明、投影儀等的色度、相關色溫、照度、主波長、刺激純度等。 這是一款小型、輕量的手持式測量儀器，符合 JIS AA 級標準。
更新時間：2024-11-02
日本meikikou剪刀式舉升機動力臂系列 像大地一樣的安定感！ 橫向移動小，上下移動平穩(wěn)！ 特別是，該剪式舉升機通過在舉升機臂中使用抗彎曲和扭曲的方管來增加剛性，以減少高升程剪式舉升機的弱點橫向晃動，并實現(xiàn)穩(wěn)定提升。與 Hyper 系列相比，水平振動降低了 50%，因此在將其用作高架工作臺時您可以感受到穩(wěn)定性，并且也可用于在各種應用中穩(wěn)定升降。
更新時間：2024-08-26
日本tekhne手持式露點儀TE-660HD 自動校準化學物質(zhì)清除功能 特征 外形緊湊，方便攜帶 精度：±2℃dp（環(huán)境溫度25℃時） 露點測量范圍：-60至+20℃dp 高響應速度 4-20毫安輸出 聚合物傳感器具有自動校準功能和優(yōu)異的長期穩(wěn)定性 使用 4 節(jié) AA 電池可運行 8 小時 追求簡單的操作性和價格 自動校準（化學物質(zhì)清除功能）
更新時間：2024-11-20
日本kofloc高精度流量計RK1400 系列 ■目標流體：氣體N2、空氣、H2、He、Ar、O2、CO2等液體H2O ■最大流量：氣體5mL/min至100L/min、液體5mL/min至2L/min ■精度：±2% FS ?內(nèi)置于設備中 ?實驗室內(nèi)的流量確認用 ?半導體相關設備用 ?生物技術用
更新時間：2024-08-26
日本disco半導體半自動研削機DAY810 1.簡單緊湊的單軸研削機：單主軸，單工作臺，結構簡單緊湊的研削機。最大可對應Φ8英寸的加工物 2.節(jié)省空間的設計：設備尺寸為600（W）×1,700（D）×1,780（H） mm。實現(xiàn)了占地面積僅為1.02 m2的小型化設計。 3.實現(xiàn)更高精度研削結果的機械結構及研削方式：通過采用高剛性，低振動的主軸，實現(xiàn)了更好的研削加工品質(zhì)。
更新時間：2024-08-26
日本disco半導體電鑄結合劑刀片Z05 系列 具有優(yōu)良的切削能力、適用于從硬脆材料到半導體基板等各種切割加工。 加工對象：各類半導體封裝、綠色陶瓷、硬脆材料等 標準型（D1結合劑） -集中度的選擇范圍最大可以分為6個等級，提供更細分化的品種選擇。 -加工硬脆材料時，兼?zhèn)浼庸て焚|(zhì)和使用壽命的切割刀片。 注重加工品質(zhì)型（D1A結合劑） -通過抑制刀刃部分的形狀變化，可持續(xù)穩(wěn)定良好的切削性。
更新時間：2024-08-26
日本disco半導體電鑄結合劑刀片NBC-Z 系列 適用于從晶圓到基板的各種切割加工，實現(xiàn)優(yōu)良的切割能力 加工對象：硅晶圓、化合物半導體晶圓（GaAs、GaP等）、各類半導體封裝等。 NBC-Z系列是由迪思科公司獨的家設計開發(fā)出的超薄、高性能切割刀片。采用電鑄型結合劑，同時實現(xiàn)了優(yōu)良的切割能力和較長的使用壽命。另外，該產(chǎn)品系列種類齊全，能夠廣泛地適用于半導體晶圓，陶瓷及CSP等半導體封裝材料的切割
更新時間：2024-08-26
日本takatori半導體紫外線照射裝置TUV-1T 1. 能夠?qū)η懈钅z帶整個表面進行均勻照射。此外，它在晶圓表面內(nèi)實現(xiàn)了均勻的照度。 2. 即使UV燈老化，高取獨的特的技術也不會改變綜合照度，也不影響吞吐量。 3. 采取措施防止真空或空氣停止時框架掉落。 4.紫外燈更換工作簡單。 5. 采用抑制電壓波動引起的燈輸出波動的控制方法，確保穩(wěn)定的照射。
更新時間：2024-08-26
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